DS1258W
DS1258W NONVOLATILE SRAM 40-PIN, 740-MIL EXTENDED MODULE
PKG
40-PIN
9 of 9
DIM
A IN.
MM
B IN.
MM
C IN.
MM
D IN.
MM
E IN.
MM
F IN.
MM
G IN.
MM
H IN.
MM
J IN.
MM
K IN.
MM
MIN
2.080
52.83
0.715
18.16
0.345
8.76
0.085
2.16
0.015
0.38
0.120
3.05
0.090
2.29
0.590
14.99
0.008
0.20
0.015
0.43
MAX
2.100
53.34
0.740
18.80
0.365
9.27
0.115
2.92
0.030
0.76
0.160
4.06
0.110
2.79
0.630
16.00
0.012
0.30
0.025
0.58
相关PDF资料
DS1258Y-100# IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40DIP
DS1265AB-70IND+ IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP
DS1270W-100IND# IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36DIP
DS1270W-100IND IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36DIP
DS1270Y-70IND# IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36DIP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
DS1330YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
相关代理商/技术参数
DS1258W-100IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1258W-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258W-100IND# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1258W-150 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1258W-150# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1258W-150-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258WP-100 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258WP-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile